A Samsung Electronics está prestes a revolucionar o mundo da memória RAM ao anunciar um avanço significativo na sua tecnologia de fabricação de DRAM. Graças ao seu processo de 12nm, a empresa sul-coreana desenvolveu o primeiro módulo DDR5 DRAM de 32 gigabits (Gb) do setor, abrindo caminho para módulos de memória de 1TB DDR5.
Este feito não apenas representa um salto considerável em capacidade, mas também apresenta vantagens significativas em termos de eficiência energética. Comparando com os módulos DDR5 DRAM de 16Gb da classe de 12nm já existentes, a Samsung conseguiu uma redução de 10% no consumo de energia ao criar módulos de 128GB.
De acordo com SangJoon Hwang, EVP de Produtos e Tecnologia de DRAM na Samsung Electronics, os principais beneficiários iniciais desta DRAM serão os data centers, a inteligência artificial (IA) e big data (dados que contêm uma maior variedade, que chegam em volumes crescentes e com maior velocidade):
“Com a nossa DRAM de 32Gb de classe 12nm, encontrámos uma solução que permitirá módulos de DRAM de até 1 terabyte (TB), colocando-nos numa posição ideal para atender à crescente necessidade de DRAM de alta capacidade na era da Inteligência Artificial e big data… Continuaremos a desenvolver soluções de DRAM através de tecnologias de processo e design diferenciadas para ultrapassar os limites da tecnologia de memória.”
A Samsung planeia iniciar a produção em massa da DRAM DDR5 de 32Gb de classe 12nm antes do final de 2023.
Mais memória em menos espaço com menor consumo de energia será sempre bem-vindo para operadores de data centers. No entanto, espera-se que esta tecnologia de memória se estenda eventualmente aos módulos DDR5 encontrados nos nossos PCs desktops e portáteis. Neste momento, os kits de memória de 192GB compostos por quatro módulos parecem ser a opção de topo para consumidores.
